Roman GłogulskiSamsung představil revoluční moduly paměti HBM3e, čímž dosáhl významného milníku v průmyslu. Společnost úspěšně vyvinula nové 12-Hi 36GB paměťové bloky HBM3e, což stanovuje nový standard jak z hlediska kapacity, tak výkonu. S touto pozoruhodnou novinkou je Samsung připraven vést trh v oblasti vysoce kapacitní paměti HBM v době AI.
Nejnovější přídavek do produktové řady paměti společnosti Samsung s kódovým označením Shinebolt obsahuje 12 x 24Gb paměťových zařízení na logickém čipu s 1024bitovým paměťovým rozhraním. Tyto 36GB paměťové moduly HBM3e pracují s pozoruhodnou přenosovou rychlostí 10GT/s a poskytují mimořádné paměťové propustnosti až 1,28TB/s na blok. Tím se stanovuje nová norma pro paměťovou propustnost zařízení v průmyslu.
Yongcheol Bae, výkonný viceprezident plánování produktů paměti ve společnosti Samsung Electronics, vyjádřil důležitost této inovace: „Poskytovatelé AI služeb v průmyslu stále více požadují vyšší kapacitu paměti HBM a naše nová HBM3e 12H produkt je navržen k uspokojení této potřeby. Jako součást našeho závazku k vývoji špičkových technologií pro vysokostackovou paměť HBM, se snažíme vést trh s vysokou kapacitou paměti HBM v době AI.“
Samsung integroval několik pokročilých technologií do svých modulů paměti Shinebolt 12-Hi 36GB HBM3e. Tyto paměťové produkty využívají nejmodernější výrobní technologii třetí generace Samsung 10nm-class (14nm), která využívá litografii extrémního ultrafialového záření (EUV). Společnost rovněž integrovala svou technologii tepelné tlakově-nevodičové fólie (TC NCF), aby dosáhla nejmenší mezery mezi paměťovými zařízeními v průmyslu, jenž činí pouhých sedm mikrometrů (7 µm). Zmenšením mezer mezi DRAM dosáhl Samsung zvýšení vertikální hustoty a minimalizaci ohýbání čipů.
Očekává se, že představení paměťových modulů 12-Hi 36GB HBM3e do značné míry zpřevratí tréninkový proces AI, čímž dosáhne průměrného zlepšení rychlosti až o 34 %. Dále umožňuje ohromující zvýšení až 11,5krát počtu současných uživatelů pro dedukční služby. Nicméně společnost neposkytla další podrobnosti ohledně velikosti paměti LLM.
Samsung již začal zasílat vzorky nových 12-Hi 36GB paměťových modulů HBM3e svým zákazníkům a plánuje zahájit hromadnou výrobu v prvním pololetí roku 2024. Tato revoluční technologie je připravena přetvořit trh s vysokokapacitní pamětí HBM a upevnit postavení Samsungu jako lídra v inovativních paměťových řešeních.
